Купить справочник
Сообщения без ответов
Активные темы
Текущее время: 19 ноя 2018, 08:42


Автор Сообщение
Тиамо
Новое сообщение  Заголовок сообщения: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 23 окт 2011, 13:30
Супермодератор

Зарегистрирован: 10 окт 2011, 18:54
Сообщения: 176
Откуда: Москва
Cпасибо сказано: 16
Спасибо получено:
9 раз в 7 сообщениях

Не в сети
Предлагаю здесь вести обсуждение ключевого элемента (простите за игру слов) частотных преобразователей. Выбора, преимуществ и недостатков разновидностей, модификаций, производителей и прочих нюансов, в которых как известно, дьявол и прячется.

Например такое сообщение:

"Новый CREE Z-FET™ MOSFET на карбиде кремния (SiC)



CREE Z-FET™ MOSFET на карбиде кремния (SiC) позволяет достичь очень высокой эффективности в широком спектре приложений силовой электроники.

CMF10120D – Новый Z-FET 1200V SiC MOSFET предназначен для устройств, мощностью 3-10kW, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания и электропривод.

Нюрнберг, Германия, 19 мая 2011 – Чтобы обеспечить разработчиков электроники способом увеличить эффективность инверторов большой мощности для альтернативной энергетики и других приложений силовой электроники, CREE POWER, расширил номенклатуру изделий в семействе Z-FET™ устройством с более низкой силой тока. Новое устройство аналогично CMF20120D, уже известному на рынке, 1200V MOSFET SiC. В то же время параметры нового MOSFETа позволяют его использовать в более широком диапазоне приложений по более низкой цене, или включать параллельно для оптимизации системной стоимости и производительности.

Новое устройство разработано, чтобы заменить кремниевые транзисторы (IGBTs), которые используются в настоящий момент в инверторах, мощностью от 3 до 10 кВт. Это источники питания высокого напряжения и вспомогательные силовые схемы, особенно 3-фазные, преобразователи солнечной энергии, индустриальные электроприводы и корректоры коэффициента мощности.

Добавление CMF10120D к нашему Z-FET SiC MOSFET семейству предоставляет нашим клиентам больше гибкости в разработке приложений соответствии с требованиями цена/ производительность. Меньший размер кристалла обеспечивает более низкую стандартную цену, и всё же дает все преимущества производительности карбид кремниевой технологии 1200V.

Использование нового Z-FET MOSFET SiC совместно с CREE SiC диодом Шоттки, позволяет реализовать ‘all-SiC’ версии схем коммутации высокой мощности и систем питания, которое позволит достичь уровней эффективности энергопотребления, размера и сокращения веса, которые не возможны с любыми коммерчески доступными кремниевыми устройствами с аналогичными параметрами.

Новый CMF10120D CREE MOSFET SiC имеет ток 12A при рабочей температуре 100°C, запирающим напряжениям до 1200V и типичным сопротивлением открытого канала (RDS (НА)) всего 160mΩ при 25°C. В отличие от кремниевых ключей с аналогичными параметрами, для нового CREE MOSFET SiC значение RDS (НА) остается ниже 200 мΩ во всем диапазоне рабочих температур. Это уменьшает потери переключения во многих приложениях на 50 процентов, увеличивая КПД системы до 2 процентов при работе на частотах, в 2 – 3 раза больший по сравнению с лучшим кремниевым IGBTs. В результате устройства SiC имеют более низкие рабочие температуры и меньшие требования к управлению, и в совокупности со сверхнизким током утечки (<1µA), позволяют уменьшить системный размер и вес и увеличить надежность систем.

CMF10120D CREE MOSFET SiC выпускается в корпусе TO247. Первая партия CMF20120D уже доступна со склада КОМПЭЛ."

Источник: http://catalog.compel.ru/blog/2011/08/0 ... mniya-sic/

Цена 56,2 долларов за штуку.
1200 Вольт, до 10 кВт. Подложка из карбида кремния позволит организовать очень хороший теплоотвода карбид кремния как полупроводник обладает массой преимуществ пред кремнием и арсенидом галлия..

Дороговато? Высокая цена приобретения может потом быть возвращена очень долгим ресурсом и малыми потерями энергии при коммутации. Кроме того, это новость 2011 года, а значит есть надежда на снижение цен через год-полтора.


Cпасибо сказано
Тиамо
Новое сообщение  Заголовок сообщения: Re: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 23 окт 2011, 13:44
Супермодератор

Зарегистрирован: 10 окт 2011, 18:54
Сообщения: 176
Откуда: Москва
Cпасибо сказано: 16
Спасибо получено:
9 раз в 7 сообщениях

Не в сети
Если я правильно понимаю, их надо не менее 6 штук на 1 преобразователь.


Cпасибо сказано
Тиамо
Новое сообщение  Заголовок сообщения: Re: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 29 окт 2011, 22:33
Супермодератор

Зарегистрирован: 10 окт 2011, 18:54
Сообщения: 176
Откуда: Москва
Cпасибо сказано: 16
Спасибо получено:
9 раз в 7 сообщениях

Не в сети
Вот такой мосфет мне нравится для преобразователя (контроллера) напряжением до 144 Вольта:

http://catalog.compel.ru/vt_mosfet/info ... SH%2FIR%29

или вот такой:

http://www.platan.ru/cgi-bin/qwery.pl/i ... &group=204


Cпасибо сказано
Тиамо
Новое сообщение  Заголовок сообщения: Re: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 29 окт 2011, 22:34
Супермодератор

Зарегистрирован: 10 окт 2011, 18:54
Сообщения: 176
Откуда: Москва
Cпасибо сказано: 16
Спасибо получено:
9 раз в 7 сообщениях

Не в сети
Скажем парочку таких параллельно на каждый из 6 ключей.
Цены очень гуманны, наличие беспроблемно.


Cпасибо сказано
Babylon
Новое сообщение  Заголовок сообщения: Re: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 29 окт 2011, 23:00
Пользователь

Зарегистрирован: 07 авг 2011, 00:37
Сообщения: 24
Cпасибо сказано: 0
Спасибо получено:
2 раз в 2 сообщениях

Не в сети
Тиамо писал(а):
Скажем парочку таких параллельно на каждый из 6 ключей.
Цены очень гуманны, наличие беспроблемно.


IRFP260 при 100 град. нормируют ток 29А явно слабоват.

IRFP4568PBF в тех же условиях121А с этим пожалуй можно начинать. Но если мутить по серьёзному то лучше вариант(и на будущее до300в) это будет GA200HS60S .


Cпасибо сказано
Тиамо
Новое сообщение  Заголовок сообщения: Re: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 29 окт 2011, 23:06
Супермодератор

Зарегистрирован: 10 окт 2011, 18:54
Сообщения: 176
Откуда: Москва
Cпасибо сказано: 16
Спасибо получено:
9 раз в 7 сообщениях

Не в сети
Думаю охлаждать жидкостью, например минеральным маслом и до 100 град не допущу..
Будущее равно 311-320 Вольтам. Плюс ещё запас на выбросы. Итого наше будущее лежит за пределами 500 Вольт.
А намёк спасибо, пойду погляжу.


Cпасибо сказано
Тиамо
Новое сообщение  Заголовок сообщения: Re: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 29 окт 2011, 23:09
Супермодератор

Зарегистрирован: 10 окт 2011, 18:54
Сообщения: 176
Откуда: Москва
Cпасибо сказано: 16
Спасибо получено:
9 раз в 7 сообщениях

Не в сети
Посмотрел, Макс напряжение у него 600 Вольт. Хорошо на будущее, а вот как он будет работать при скажем 120 Вольтах? В смысле эффективности. КПД. слышал я что на низких напряжениях (150 Вольт напряжение небольшое) КПД ИГБТ ниже чем у МОСФЕТов.


Cпасибо сказано
Вячеслав М
Новое сообщение  Заголовок сообщения: Re: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 29 окт 2011, 23:31
Форумчанин

Зарегистрирован: 07 авг 2011, 00:20
Сообщения: 65
Cпасибо сказано: 2
Спасибо получено:
14 раз в 10 сообщениях

Не в сети
Да , сейчас есть , что обсуждать ! Я вспоминаю свой первый частотник , собранный на ОУ 140УД6 и транзисторах КТ812А , и никакой альтернативы .


Cпасибо сказано
Тиамо
Новое сообщение  Заголовок сообщения: Re: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 29 окт 2011, 23:37
Супермодератор

Зарегистрирован: 10 окт 2011, 18:54
Сообщения: 176
Откуда: Москва
Cпасибо сказано: 16
Спасибо получено:
9 раз в 7 сообщениях

Не в сети
Я не специалист, но у меня сложилось впечатление на уровне ощущения что на ИГБТ надо переходить в том чслучае если приходится работать с более высокими чем 300 Вольт напряжениями. Хотя применение в качестве полупроводникового материала карбида кремния это положение пошатнуло. Мосфеты на SiC могут эффективно работать до 1200 Вольт.
Но нам туда вроде бы не надо.


Cпасибо сказано
Babylon
Новое сообщение  Заголовок сообщения: Re: MOSFET и IGBT  |  Добавлено: 29 окт 2011, 23:39
Пользователь

Зарегистрирован: 07 авг 2011, 00:37
Сообщения: 24
Cпасибо сказано: 0
Спасибо получено:
2 раз в 2 сообщениях

Не в сети
Тиамо писал(а):
Посмотрел, Макс напряжение у него 600 Вольт. Хорошо на будущее, а вот как он будет работать при скажем 120 Вольтах? В смысле эффективности. КПД. слышал я что на низких напряжениях (150 Вольт напряжение небольшое) КПД ИГБТ ниже чем у МОСФЕТов.


Да полевикам при таком напряжении проигруют однозначно 3 вольта падения на паре ключей притоке 200А в тепло уйдёт 600Вт ,полевики (IRFP4568PBF два в паралель) дадут примерно 1.2 в и соотвтственно 240Вт, но при напряжениях выше 200в уже уступают IGBT транзисторам.


Cпасибо сказано
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Для печати

Кто сейчас на конференции
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 1
Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения
Перейти:  


Удалить cookies конференции | Наша команда | Часовой пояс: UTC + 3 часа [ Летнее время ]

Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
DAJ Glass 2 template created by Dustin Baccetti

Создать форум бесплатно PHPBB3 на MyFor.ru
Форум технической поддержки сервиса"

Русская поддержка phpBB